《科学》 2026年10月15日 · 中文解读
通过逐层硫族元素替换构建模块化范德华MOSFET
Modular van der Waals MOSFETs through layer-by-layer chalcogen substitutions · S. Y. Min et al.
这篇讲什么
韩国基础科学研究院与浦项科技大学等机构的研究人员以p型WSe2多层膜为起点，通过逐层气相硫族元素替换，在原子尺度上原位写入绝缘WOx、n型WS2和半金属WTe2，构建出垂直与横向集成的模块化范德华半导体异质结。他们利用WOx/WSe2局域栅堆叠制成超微缩金属氧化物半导体场效应晶体管，在亚纳米等效氧化层厚度下实现了61.3 mV dec−1的亚阈值摆幅，接近玻尔兹曼热电子极限。这一方法为按需定制二维电子相与复杂范德华异质结电路提供了简便而精确的合成路线。
原文开头
Modular van der Waals MOSFETs through layer- by- layer chalcogen substitutions Seok Young Min1,2†, Hyunje Cho1,2†, Suk- Ho Lee1,2, Jaeho Choi1,2, Taeho Kim1,2, Jong Yun Choi1,2, Heewon Park1,2, Junsoo Yoon1,2, TaeJoon Mo1,5, Chumki Nayak1, Gi- Yeop Kim2, Sung- Hyuk Her1,2, Chul- Ho Lee3, Yong- Sung Kim4, Si- Young Choi1,2, Cheol- Joo Kim1,5, Moon- Ho Jo1,2,6* In two- dimensional transition- metal dichalcogenides (tMDcs), the local electrostatic field of the chalcogen p- orbitals dictates the crystal field splitting of the transition metal d- orbitals, stabilizing diverse electronic states from semiconducting and semimetallic to exotic topological phases. On- demand substitution of the lattice chalcogens is therefore an efficient route to tuning tMDc electronic phases. …
摘自《科学》（Science）2026年10月15日，S. Y. Min et al.。仅引用开头一小段供了解文章，版权归原刊所有，全文请阅读原刊。
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