《科学》 第391卷 第6791期 · 2026年3月19日 · 中文解读
六方氮化硼莫尔量子阱中的高效深紫外发光
Highly efficient, deep-ultraviolet luminescence in hBN moiré quantum wells · C. Hong et al.
这篇讲什么
本文报道了在扭转六方氮化硼同质结界面形成的莫尔量子阱中，实现了高效、可调谐的深紫外发光，其效率比传统AlGaN多量子阱高一个数量级以上。
原文开头
Chengyun Hong1,2†, Fangzhou Zhao3†, Su-Beom Song2, Sangho Yoon2, Seong-Joon Jeon1,2, M. Ajmal Khan4, Ye Tao2, Dong-Hwan Yang1,2, Wanhee Lee2, Junho Kim5, Sera Yang1,2, Hyungseob Cho1,2, Sumin Lee1,2, Seok Young Min1,2, Kenji Watanabe6, Takashi Taniguchi7, Seunghyup Yoo5, Changsoon Cho2, Si-Young Choi1,2,8, Hideki Hirayama4, Lede Xian3,9,10, Moon-Ho Jo1,2,11*, Angel Rubio3,12*, Jonghwan Kim1,2,11* Twisted stacking of two-dimensional van der Waals (vdW) semiconductors creates moiré superlattices, which provides unprecedented control over quantum states and their light- matter interactions. We demonstrate that a simple twist interface between two single-crystalline bulks of hexagonal boron nitride (hBN) creates moiré quantum wells (QWs) embedded in a three-dimensional vdW structure. hBN moiré QWs strongly confine charge carriers under both optical excitation and electrical injection. …
摘自《科学》（Science）第391卷 第6791期 · 2026年3月19日，C. Hong et al.。仅引用开头一小段供了解文章，版权归原刊所有，全文请阅读原刊。
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